时间：2025/8/8 19:47:24
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K6876-01R 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET，广泛应用于各种电子设备中，作为开关或放大元件使用。该器件具有高效率、低导通电阻和良好的热稳定性，适合用于电源管理、电机控制、负载开关等高功率应用场合。K6876-01R采用先进的制造工艺，确保在高频率工作条件下仍能保持稳定性能，同时具备较强的抗干扰能力和可靠性。该MOSFET通常采用TO-220封装形式，便于散热并提高在高电流条件下的工作能力。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：约3.5mΩ
最大耗散功率(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
K6876-01R MOSFET具备多项优异特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其次，该器件具有高电流承载能力，能够承受高达120A的漏极电流，适用于大功率负载控制。此外，K6876-01R采用了高耐压设计，漏源电压额定值达到60V，适用于中高压电源系统。其高功率耗散能力（200W）使其在高负载条件下仍能保持稳定运行，并通过TO-220封装实现良好的散热性能。该MOSFET还具备快速开关特性，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。最后，其宽工作温度范围（-55°C至150°C）确保在各种环境条件下都能可靠运行，适用于工业、汽车和消费类电子设备。
K6876-01R MOSFET广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、负载开关控制、汽车电子系统以及工业自动化设备。由于其高效率和高电流承载能力，它特别适合用于电动车、电动工具、UPS（不间断电源）和高功率LED照明系统等高功率应用场景。此外，它也可用于计算机电源、服务器电源以及各种电源管理模块中，提供高效的功率开关解决方案。
TK80E60W,TMOSFET T120N60MFR,STP120N6F2A
