时间：2025/9/14 5:27:06
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BUK762R4-60E,118 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适合用于 DC-DC 转换器、电源管理模块以及电机控制等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：60V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：120A
导通电阻 Rds(on)：2.4mΩ（典型值）
功率耗散：300W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263 (D2PAK)
BUK762R4-60E,118 的主要特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。
该器件支持高达 120A 的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力，适合高功率应用场景。
其栅极驱动电压范围宽广（±20V），具有良好的栅极电压容限能力，提高了驱动电路的灵活性和稳定性。
该 MOSFET 采用 TO-263（D2PAK）封装，具有良好的热管理性能，便于在高功率密度设计中使用。
此外，该器件在高温环境下仍能保持稳定的性能，工作温度可达 +175°C，适用于严苛的工业和汽车电子环境。
内置的雪崩能量保护功能提升了器件在瞬态电压条件下的可靠性，减少了损坏的风险。
BUK762R4-60E,118 常用于 DC-DC 升压 / 降压转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统、服务器电源、电信设备电源以及工业自动化控制系统中。
在汽车电子领域，该器件适用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等应用。
其高电流和低导通电阻特性使其在高频开关电源中表现出色，有助于实现更高的能效和更小的散热设计需求。
同时，该 MOSFET 还广泛用于 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和储能系统等高功率应用中，提供稳定可靠的功率开关功能。
BUK763R4-60E,118, BUK764R4-60E,118, IPB016N06N G, STP120N6F6
