时间：2025/9/14 12:16:14
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BUK7611-55A,118 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的电源管理应用，如开关电源、DC-DC 转换器、电池管理系统以及负载开关等。其封装形式为 TO-220AB，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A
最大漏源电压（VDS）：55V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：8.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220AB
BUK7611-55A,118 是一款高性能功率 MOSFET，具备低导通电阻（RDS(ON)）和高电流承载能力。其导通电阻仅为 8.5mΩ，能够在高电流条件下保持较低的功耗，从而提高系统的整体效率。该器件支持高达 80A 的漏极电流，并能承受 55V 的漏源电压，适用于多种高功率应用场景。
此外，该 MOSFET 具备良好的热稳定性和耐用性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其栅源电压范围为 ±20V，确保在不同驱动条件下均能正常工作。TO-220AB 封装形式有助于有效散热，延长器件使用寿命。
该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减小外围电路的体积并提高系统响应速度。同时，其较低的栅极电荷（Qg）有助于降低驱动损耗，提高开关效率。
BUK7611-55A,118 主要应用于各类电源管理系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化控制系统。此外，该 MOSFET 还可用于负载开关、电源管理模块和电动车充电系统等高功率电子设备中，为系统提供高效、稳定的功率控制解决方案。
IRF1405, STD80N3LLH6AG, BSC080N03LS
