时间：2025/6/29 4:39:19
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BUK7610-55AL 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由安森美（ON Semiconductor）公司生产。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动以及负载开关等。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能和电气特性，能够满足高效率和高性能的需求。
最大漏源电压：55V
最大连续漏极电流：28A
最大栅极驱动电压：±20V
导通电阻（典型值）：1.9mΩ
总功耗：140W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
BUK7610-55AL 提供了非常低的导通电阻，有助于减少导通损耗，从而提高系统效率。同时，其快速开关性能使得它非常适合高频应用。此外，该器件还具有优异的热稳定性和鲁棒性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠的性能。
主要特点包括：
- 极低的导通电阻，确保高效运行
- 高雪崩能力，提供额外的安全裕度
- 符合 RoHS 标准，环保设计
- 支持表面贴装技术（SMD），便于自动化生产
- 热增强型封装，改善散热效果
BUK7610-55AL 广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景中，例如：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电动工具中的电机驱动
- 工业自动化设备中的负载切换
- 通信电源和分布式电源系统
- 各类消费类电子产品中的电源管理模块
由于其出色的电气特性和封装优势，该器件在高功率密度和紧凑型设计领域表现出色。
IRLZ44N
FDP5570
AO3400A
