时间：2025/9/14 11:31:28
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BUK7610-55AL,118 是由NXP Semiconductors生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、功率转换和工业控制等领域。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于高效率和高密度的电源设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：55V
最大漏极电流（ID）：80A（在Tc=25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：最大8.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
最大功率耗散：130W
封装类型：TO-220AB
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK7610-55AL,118 MOSFET具有多项显著特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了先进的TrenchMOS工艺，提升了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关电源设计。
此外，BUK7610-55AL,118具有良好的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定运行。其TO-220AB封装形式便于安装和散热，适合工业级应用要求。栅极驱动电压范围宽（通常为4.5V至20V），便于与各种驱动电路兼容。
该MOSFET还具备优异的雪崩能量承受能力，增强了器件在高能量负载条件下的可靠性。适用于需要高可靠性和稳定性的应用，如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备。
BUK7610-55AL,118广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，利用其低导通电阻和高效率优势。
2. 电机控制：用于H桥驱动、直流电机控制、伺服系统等，提供快速开关和高电流承载能力。
3. 电池管理系统：在电池充放电控制、电池保护电路中发挥关键作用。
4. 工业自动化：用于PLC输出驱动、继电器替代、工业电源模块等。
5. 汽车电子：如车载电源系统、电机驱动器、LED照明控制等，符合汽车电子对可靠性和稳定性的要求。
IRF1405, STP80NF55, FDP80N55S2
