时间：2025/9/14 10:32:49
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BUK7610-100B,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于工业和汽车电子系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：38A
最大漏-源电压（VDS）：100V
导通电阻（RDS(on)）：0.016Ω（最大）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
安装类型：通孔（Through Hole）
功率耗散（PD）：130W
BUK7610-100B,118 MOSFET具有出色的电气性能和热管理能力，适合高功率密度应用。其低导通电阻可降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造，提供高跨导和良好的开关性能。
此外，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。由于其封装形式为TO-220AB，便于散热，适合工业级和汽车级应用。
该器件还具有良好的栅极氧化层稳定性，能承受高达±20V的栅极电压，提高了使用灵活性和抗干扰能力。同时，其宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于高温环境，如车载电源系统和工业控制设备。
BUK7610-100B,118 主要用于各类功率转换和电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统和汽车电子应用，如车载充电器和启停系统。此外，该MOSFET也适用于服务器电源、电信设备和工业自动化设备中的高效率电源模块。
IPB016N10N3, STD100N10F7, FDP100N10
