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BUK7610-100B,118 发布时间 时间:2025/9/14 10:32:49 查看 阅读:23

BUK7610-100B,118 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适用于工业和汽车电子系统。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):38A
  最大漏-源电压(VDS):100V
  导通电阻(RDS(on)):0.016Ω(最大)
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-220AB
  安装类型:通孔(Through Hole)
  功率耗散(PD):130W

特性

BUK7610-100B,118 MOSFET具有出色的电气性能和热管理能力,适合高功率密度应用。其低导通电阻可降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造,提供高跨导和良好的开关性能。
  此外,该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力,能够在极端工作条件下保持稳定运行。由于其封装形式为TO-220AB,便于散热,适合工业级和汽车级应用。
  该器件还具有良好的栅极氧化层稳定性,能承受高达±20V的栅极电压,提高了使用灵活性和抗干扰能力。同时,其宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C)使其适用于高温环境,如车载电源系统和工业控制设备。

应用

BUK7610-100B,118 主要用于各类功率转换和电源管理系统,包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统和汽车电子应用,如车载充电器和启停系统。此外,该MOSFET也适用于服务器电源、电信设备和工业自动化设备中的高效率电源模块。

替代型号

IPB016N10N3, STD100N10F7, FDP100N10

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BUK7610-100B,118参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6773pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-6573-6