BUK7610-100B,118 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适用于工业和汽车电子系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):38A
最大漏-源电压(VDS):100V
导通电阻(RDS(on)):0.016Ω(最大)
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220AB
安装类型:通孔(Through Hole)
功率耗散(PD):130W
BUK7610-100B,118 MOSFET具有出色的电气性能和热管理能力,适合高功率密度应用。其低导通电阻可降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造,提供高跨导和良好的开关性能。
此外,该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力,能够在极端工作条件下保持稳定运行。由于其封装形式为TO-220AB,便于散热,适合工业级和汽车级应用。
该器件还具有良好的栅极氧化层稳定性,能承受高达±20V的栅极电压,提高了使用灵活性和抗干扰能力。同时,其宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C)使其适用于高温环境,如车载电源系统和工业控制设备。
BUK7610-100B,118 主要用于各类功率转换和电源管理系统,包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统和汽车电子应用,如车载充电器和启停系统。此外,该MOSFET也适用于服务器电源、电信设备和工业自动化设备中的高效率电源模块。
IPB016N10N3, STD100N10F7, FDP100N10