时间：2025/9/14 15:34:58
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BUK7608-55A,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件专为高效率电源转换系统设计，适用于如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关等应用。该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，能够在高频条件下稳定工作，从而提高系统效率并减少散热需求。此外，该器件采用标准的TO-220AB封装，方便在各种电子电路中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：55V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：80A（在Tc=25°C时）
导通电阻(Rds(on))：最大8mΩ（在Vgs=10V时）
最大功耗(Pd)：160W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
BUK7608-55A,118 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通损耗并提高了电源转换效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率密度设计。其80A的最大漏极电流在高温条件下仍能保持稳定，从而确保在严苛环境下的可靠运行。该MOSFET支持快速开关操作，适用于高频开关电源和同步整流应用。其低栅极电荷（Qg）减少了驱动损耗，从而提高了整体系统的能效。此外，该器件的栅极结构设计能够承受高达±20V的电压，提高了在高噪声环境中的稳定性和耐用性。
BUK7608-55A,118 还具备优异的热稳定性，能够在175°C的结温下正常工作，适合工业和汽车应用中的高温环境。由于其低热阻（Rth(j-c)），该器件在高负载条件下仍能保持较低的温度上升，从而延长了器件的使用寿命并降低了对散热片的要求。此外，该MOSFET的TO-220AB封装具有良好的机械稳定性和易于安装的特性，适合通孔焊接和标准PCB布局。
BUK7608-55A,118 适用于多种功率电子系统，包括DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、电源管理模块以及负载开关控制。在服务器和电信电源系统中，该MOSFET可用于高效能电源模块，提供稳定的电流转换和低损耗特性。此外，该器件也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器等。在工业自动化和机器人系统中，BUK7608-55A,118 可作为高功率开关使用，实现高效能电机控制和能量管理。
IRF1405, SiR882DP, BSC080N03LS G
