时间：2025/12/23 11:25:45
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BUK7608-55是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。
该器件采用TO-263-3封装形式，适合表面贴装，能够有效地提高电路的效率并减少热量积聚。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：41A
导通电阻：1.8mΩ
总栅极电荷：48nC
输入电容：1950pF
功耗：17W
工作温度范围：-55℃至175℃
BUK7608-55的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，在额定条件下可达到1.8mΩ，从而显著降低传导损耗。
2. 高电流承载能力，连续漏极电流可达41A，满足高功率应用需求。
3. 快速开关特性，总栅极电荷仅为48nC，有助于减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围，支持从-55℃到175℃的操作环境，适应恶劣工况。
5. 小型化封装设计，TO-263-3封装提供良好的散热性能且节省空间。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料确保其可持续使用。
BUK7608-55广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如AC-DC适配器、逆变器等。
2. 电机驱动器，用于家用电器中的无刷直流电机控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。
4. 汽车电子系统中的电池管理及配电。
5. 大功率LED驱动电路中的高效能量传输组件。
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