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BUK7608-40B,118 发布时间 时间:2025/9/14 17:28:29 查看 阅读:7

BUK7608-40B,118 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计,具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。BUK7608-40B 属于 TrenchMOS 技术系列,适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等多种工业和消费类电子应用。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压 Vds:40V
  漏极电流 Id:80A
  导通电阻 Rds(on):7.5mΩ(最大值)
  栅极电压 Vgs:±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-220
  安装类型:通孔安装
  功率耗散:160W
  

特性

BUK7608-40B,118 的核心特性包括其先进的 TrenchMOS 技术,这项技术显著降低了导通电阻并提高了电流处理能力,从而提升了整体效率并减少了功率损耗。
  该器件的低 Rds(on) 值为 7.5mΩ,确保在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗,这对提高电源系统的整体效率至关重要。
  此外,BUK7608-40B 支持高达 80A 的漏极电流,使其适用于高功率密度设计。其 40V 的漏源电压额定值能够应对常见的电源电压波动,保证系统稳定运行。
  该 MOSFET 具备良好的热稳定性和过温保护能力,可在极端工作条件下保持可靠性。其 TO-220 封装设计便于散热,适用于需要高效热管理的电路设计。
  在栅极驱动方面,该器件支持 ±20V 的栅极电压,具有较高的抗电压冲击能力,避免因过高的栅极电压导致器件损坏。此外,其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高动态响应速度,适用于高频开关应用。
  综合来看,BUK7608-40B,118 是一款高可靠性、高性能的功率 MOSFET,适用于多种高功率应用场合。

应用

BUK7608-40B,118 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备、UPS(不间断电源)以及汽车电子系统等。
  在 DC-DC 转换器中,该器件用于高效地进行电压转换,支持高电流输出,提升系统整体能效。
  在负载开关和马达驱动应用中,BUK7608-40B 提供了低导通电阻和高电流承载能力,有助于实现紧凑高效的电路设计。
  在电池管理系统中,该 MOSFET 可用于电池充放电控制,提供可靠的高效率开关性能。
  此外,由于其良好的热稳定性和高耐压能力,BUK7608-40B,118 也适合用于汽车电子系统中的功率控制模块,如电动助力转向系统(EPS)、车灯控制、车载充电器等应用场景。

替代型号

IPB080N04N, STD80N40V3, STP80NF04, IRF3708

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BUK7608-40B,118参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2689pF @ 25V
  • 功率 - 最大157W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-5850-6