RU30L15H 时间：2025/6/21 11:08:09 阅读：25

RU30L15H是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为低导通电阻和高开关速度应用设计。该器件适用于功率转换、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等电路中，能够显著降低功耗并提高效率。
　　RU30L15H采用先进的制造工艺，具备出色的热性能和电气特性，同时支持表面贴装封装形式，方便集成到各种现代电子设备中。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220

特性

RU30L15H具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗，提升系统效率。
　　2. 高额定电流能力，适用于大功率应用场景。
　　3. 良好的开关性能，适合高频开关应用。
　　4. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
　　5. 符合RoHS标准，绿色环保。
　　6. 可靠的短路保护功能，延长使用寿命。

应用

RU30L15H广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关元件。
　　2. DC-DC转换器的核心开关器件。
　　3. 电机驱动电路中的功率输出级。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的功率分配控制。
　　6. 工业自动化设备中的功率模块。