时间：2025/9/14 5:53:15
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BUK7606-75B,118 是由 Nexperia（原 Philips Semiconductors）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高电流、高效率的电源管理应用。该器件采用先进的 Trench MOS 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：75V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A（Tc=25℃）
功耗(Pd)：180W
导通电阻(Rds(on))：约5.3mΩ（Vgs=10V时）
封装：TO-220
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
BUK7606-75B,118 具备多个突出的电气和热性能优势。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件支持高达 80A 的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。该 MOSFET 还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。采用 TO-220 封装，具备良好的热管理和机械稳定性，适用于工业级工作温度范围（-55°C 至 175°C）。此外，该器件符合 RoHS 标准，并具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了系统的可靠性和耐用性。
在栅极驱动方面，BUK7606-75B,118 的栅极电荷较低，使其更容易驱动，并减少了驱动电路的复杂性。其栅源电压范围为 ±20V，提供了较大的设计灵活性。同时，该器件具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受高电流应力，适用于对可靠性和稳定性要求较高的应用场景。
BUK7606-75B,118 适用于多种功率电子系统，包括但不限于以下领域：DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、电源开关、负载开关、UPS（不间断电源）系统、工业自动化设备和电源管理模块。其高电流能力和低导通电阻特性也使其在汽车电子系统中广泛应用，如车载充电器、电动工具和照明控制系统等。
IRF1405, IPD90N08S4-07, FDS8858
