时间：2025/7/9 9:21:17
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BUK755R4-100E是一款由安森美（onsemi）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种高效能电源管理应用。
该MOSFET的封装形式为TO-263（D2PAK），支持表面贴装技术，方便在自动化生产线上使用。其主要应用领域包括开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载切换等场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4A
导通电阻（Rds(on)）：3.9mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：18nC（典型值）
总功耗：21W
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高开关速度使该器件能够在高频应用场景中保持优异性能。
3. 良好的热稳定性和可靠性，适合长时间运行的设备。
4. 封装兼容性强，便于设计和布局优化。
5. 提供强大的过流保护能力，确保电路的安全运行。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件，用于电压调节。
3. 各类电机驱动控制电路，例如步进电机和无刷直流电机。
4. 负载切换和保护电路，如电池管理系统（BMS）。
5. 工业自动化设备中的信号放大与传输模块。
IRFZ44N, FDP55N10
