您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BUK755R4-100E

BUK755R4-100E 发布时间 时间:2025/7/9 9:21:17 查看 阅读:7

BUK755R4-100E是一款由安森美(onsemi)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种高效能电源管理应用。
  该MOSFET的封装形式为TO-263(D2PAK),支持表面贴装技术,方便在自动化生产线上使用。其主要应用领域包括开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载切换等场景。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:4A
  导通电阻(Rds(on)):3.9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:18nC(典型值)
  总功耗:21W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 低导通电阻有助于降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高开关速度使该器件能够在高频应用场景中保持优异性能。
  3. 良好的热稳定性和可靠性,适合长时间运行的设备。
  4. 封装兼容性强,便于设计和布局优化。
  5. 提供强大的过流保护能力,确保电路的安全运行。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件,用于电压调节。
  3. 各类电机驱动控制电路,例如步进电机和无刷直流电机。
  4. 负载切换和保护电路,如电池管理系统(BMS)。
  5. 工业自动化设备中的信号放大与传输模块。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N10

BUK755R4-100E推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价