时间：2025/5/28 18:53:04
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DMG4496SSS-13是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。它广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及计算机外设等领域。
该型号采用了DFN2020-8封装形式，体积小巧，非常适合对空间要求严格的电路设计。
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：7.5A
导通电阻(RDS(on))：40mΩ
总功耗(PD)：1.8W
工作结温范围(TJ)：-55℃至+150℃
封装类型：DFN2020-8
DMG4496SSS-13具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，可有效降低功率损耗并提升效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用环境。
3. 高度可靠的电气性能和热稳定性，确保在恶劣条件下依然能保持稳定工作。
4. 小型化封装设计有助于减少PCB占用面积，满足现代电子产品小型化的需求。
5. 符合RoHS标准，绿色环保无铅工艺。
该MOSFET适用于多种场景：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC转换器和降压/升压转换器的核心元件。
3. 电池保护电路及负载开关。
4. 电机驱动与LED驱动电路。
5. 各类便携式电子设备如智能手机和平板电脑内的电源管理模块。
DMG2305UX-13, DMG2306UFG-7
