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DMG4496SSS-13 发布时间 时间:2025/5/28 18:53:04 查看 阅读:13

DMG4496SSS-13是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。它广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及计算机外设等领域。
  该型号采用了DFN2020-8封装形式,体积小巧,非常适合对空间要求严格的电路设计。

参数

最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):7.5A
  导通电阻(RDS(on)):40mΩ
  总功耗(PD):1.8W
  工作结温范围(TJ):-55℃至+150℃
  封装类型:DFN2020-8

特性

DMG4496SSS-13具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻RDS(on),可有效降低功率损耗并提升效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高度可靠的电气性能和热稳定性,确保在恶劣条件下依然能保持稳定工作。
  4. 小型化封装设计有助于减少PCB占用面积,满足现代电子产品小型化的需求。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保无铅工艺。

应用

该MOSFET适用于多种场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC/DC转换器和降压/升压转换器的核心元件。
  3. 电池保护电路及负载开关。
  4. 电机驱动与LED驱动电路。
  5. 各类便携式电子设备如智能手机和平板电脑内的电源管理模块。

替代型号

DMG2305UX-13, DMG2306UFG-7

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DMG4496SSS-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C21.5 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds493.5pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.42W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMG4496SSS-13DITR