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BUK755R4-100E,127 发布时间 时间:2025/9/14 8:18:29 查看 阅读:4

BUK755R4-100E,127是一款由Nexperia(安世半导体)生产的功率MOSFET器件。该器件采用先进的Trench肖特基技术,具备低导通电阻、高效率和优异的热性能。这款MOSFET适用于多种高功率应用场景,如电源管理、电机控制和负载开关。该器件采用D2PAK封装形式,支持表面贴装,便于在高密度PCB设计中使用。其额定电压为100V,最大连续漏极电流可达80A,适用于要求高可靠性和高效能的工业和汽车应用。

参数

型号:BUK755R4-100E,127
  封装:D2PAK
  类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  最大连续漏极电流(Id):80A
  导通电阻(Rds(on)):5.2mΩ(最大值)
  栅极电荷(Qg):72nC
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

BUK755R4-100E,127具备多项高性能特性,首先是其极低的导通电阻(Rds(on)),典型值为5.2mΩ,这显著降低了导通损耗,提高了整体效率。其次,该MOSFET采用了Trench肖特基技术,使其在高频率开关应用中表现出色,减少了开关损耗,并提升了系统的整体能效。此外,该器件具备优异的热稳定性,支持高工作温度环境下的稳定运行,适合在高温工业环境中使用。
  该器件还具备良好的短路耐受能力,能够承受一定的过载和瞬态冲击电流,适用于电机驱动和电源转换等场合。D2PAK封装设计不仅提高了散热能力,还支持表面贴装工艺,简化了PCB布局和装配流程。此外,该MOSFET的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少驱动电路的功耗,提高开关速度。
  在可靠性方面,BUK755R4-100E,127通过了AEC-Q101汽车级认证,确保其在严苛的汽车环境中具有出色的稳定性和耐久性。这使其成为汽车电子系统、电动工具和工业自动化设备中的理想选择。

应用

BUK755R4-100E,127广泛应用于多个高功率电子系统,包括电源管理模块、DC-DC转换器、电机控制器、负载开关和电池管理系统等。在汽车电子领域,该器件常用于车载充电器、起停系统和电动助力转向系统(EPS)等关键部件中。此外,它还可用于工业自动化设备、UPS(不间断电源)、储能系统和高功率LED照明驱动电路。由于其高可靠性和优异的热性能,该MOSFET也适用于需要长时间连续运行的设备。

替代型号

BUK765R4-100E,127; IPW90R150P7S

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BUK755R4-100E,127参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.2 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)180 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)11810 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)349W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220AB
  • 封装/外壳TO-220-3