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BUK7535-55A 发布时间 时间:2025/3/20 9:37:36 查看 阅读:10

BUK7535-55A是由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为需要高效能和高可靠性的应用设计,广泛应用于电源管理、电机控制、消费电子设备等。它采用了先进的制造工艺,确保了低导通电阻和快速开关特性。
  这款MOSFET的最大特点在于其出色的热性能和电气性能。它可以在较宽的工作温度范围内稳定工作,并且具有良好的抗干扰能力。此外,它还具有较低的栅极电荷,这有助于提高系统的整体效率。

参数

最大漏源电压(VDS):55V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):48A
  脉冲漏极电流(Ipulsedraincurrent):150A
  导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ (典型值,在VGS=10V时)
  栅极电荷(Qg):70nC (最大值)
  结温范围(TJ):-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻:在相同的封装条件下,BUK7535-55A的导通电阻非常低,仅为4.5毫欧姆,这意味着在导通状态下产生的热量更少,从而提高了工作效率。
  2. 快速开关速度:由于栅极电荷较小,BUK7535-55A能够实现快速的开关切换,减少了开关损耗,进一步提升了转换效率。
  3. 高耐压和大电流承载能力:可以承受高达55伏特的漏源电压,同时支持最高48安培的连续电流,使得它适合于各种高功率应用场景。
  4. 宽广的工作温度范围:能在从-55°C到+175°C的极端环境下正常运行,保证了产品在恶劣环境中的稳定性。
  5. 强大的ESD保护功能:内置静电放电保护电路,有效防止因意外静电冲击而造成的损坏。
  6. 紧凑型封装:采用TO-220封装形式,既节省空间又便于安装散热片,有利于热量散发。
  7. 符合RoHS标准:不含铅等有害物质,符合环保要求。

应用

1. 开关模式电源(SMPS):用于DC-DC转换器、AC-DC适配器中作为主控开关元件。
  2. 电机驱动:适用于无刷直流电机(BLDC)控制器、步进电机驱动器等场合。
  3. 工业自动化:包括PLC控制系统、伺服系统内的功率级部分。
  4. 消费电子产品:如笔记本电脑充电器、平板电脑电源适配器内部的关键组件。
  5. 汽车电子:可用于车载逆变器、LED照明驱动等领域。
  6. 太阳能光伏系统:参与太阳能电池板的最大功率点跟踪(MPPT)控制器的设计。

替代型号

- FDP55N06L:由Fairchild生产的类似规格的N沟道MOSFET,具备相近的电气参数和封装方式。
  - IRF540N:国际整流器公司(International Rectifier)的产品,虽然额定电压稍低但电流容量更大。
  - STP55NF06L:意法半导体(STMicroelectronics)推出的同类型号,拥有类似的性能指标和封装尺寸。
  请注意,选择替代品时需考虑实际电路设计的要求以及供应商提供的最新数据表以确保兼容性和可靠性。

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BUK7535-55A参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压55 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流35 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.035 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间20 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散85 W
  • 上升时间62 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间24 ns
  • 零件号别名BUK7535-55A,127