时间：2025/9/14 15:51:01
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BUK751R8-40E,127 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高效率的功率转换应用。该器件采用了先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用场景。该MOSFET为N沟道增强型晶体管，封装形式为TO-220AB，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：40V
最大连续漏极电流(ID)：140A
导通电阻(RDS(on))：1.8mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：90nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
BUK751R8-40E,127 具有出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻（1.8mΩ）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件采用了TrenchMOS技术，使得单位面积的导通电阻更低，同时保持了优异的开关速度和稳定性。
该MOSFET的热性能优异，TO-220AB封装结构具有良好的散热能力，使其能够在高电流工作条件下保持较低的温度升幅。栅极电荷（Qg）仅为90nC，降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。
器件内部设计具备高雪崩能量能力，增强了在高应力工作环境下的可靠性和耐用性。同时，该MOSFET具有良好的短路耐受能力，适合用于要求高可靠性的电源系统和工业控制设备。
其封装形式（TO-220AB）便于安装和散热片连接，适用于多种功率电子设备。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的设计与制造。
BUK751R8-40E,127 广泛应用于多种功率电子系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源负载开关、工业自动化设备以及电源模块等。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高效能电源转换和管理应用的理想选择。此外，该器件也常用于服务器电源、通信电源、电动工具和电动汽车的功率控制电路中。
SiHH140N40E, INF140N04S15A, IPP140N40N3G
