时间：2025/8/9 15:13:26
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2SK3696-01MR是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该MOSFET设计用于处理高电流和高压，适用于如电源供应器、DC-DC转换器以及电机控制等应用场景。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：80A
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
2SK3696-01MR具有低导通电阻，确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。
其快速开关特性使其适用于高频操作，有助于减小外部元件的尺寸并提升系统性能。
此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下可靠运行。
采用先进的封装技术，提高了散热效率，延长了器件的使用寿命。
由于其优异的电气特性和可靠性，2SK3696-01MR常用于高性能电源系统和工业控制设备。
2SK3696-01MR主要应用于电源管理领域，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电池充电器以及电机驱动电路。
在工业控制系统中，它用于控制高功率负载，例如直流电机和加热元件。
同时，该MOSFET也适用于汽车电子系统，如车载电源和电动助力转向系统（EPS）。
此外，它还可用于UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器和储能系统等高可靠性应用场合。
SiHF60N30EF, IRF1404, FDP80N30H, APT75N30H
