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BUK7513-75B 发布时间 时间:2025/4/25 9:16:44 查看 阅读:8

BUK7513-75B 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种高频开关电源应用。其额定电压为 75V,典型应用场景包括 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。这款 MOSFET 的设计使其在效率和散热性能上表现优异,同时支持较高的工作频率。

参数

最大漏源电压:75V
  连续漏极电流:29A
  导通电阻(典型值):8.5mΩ
  栅极电荷:20nC
  输入电容:1640pF
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频操作环境。
  3. 较高的雪崩能量耐受能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 采用标准 DPAK 封装,便于 PCB 布局与散热设计。
  5. 支持表面贴装技术 (SMD),简化了自动化生产流程。
  6. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境。

应用

1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
  4. 工业控制设备中的信号隔离与功率传输。
  5. 高效 DC-DC 转换器中的功率开关组件。

替代型号

BUK7Y1R3-75B
  IRF7832
  FDP5580
  STP29NF06L

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BUK7513-75B参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压75 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流75 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.013 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间26 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散157 W
  • 上升时间36 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间55 ns
  • 零件号别名BUK7513-75B,127