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BUK7507-55B 发布时间 时间:2025/7/8 20:07:13 查看 阅读:15

BUK7507-55B 是一款由安森美(onsemi)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性,适用于多种高效能电源管理应用。
  该MOSFET通常用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电信和工业设备中的电源管理电路中。其封装形式为LFPAK88(PowerSO-8的一种改进型),具有较低的热阻和电感,适合高密度设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:29A
  导通电阻(典型值):1.3mΩ
  栅极电荷(典型值):45nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装类型:LFPAK88

特性

BUK7507-55B 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗并提高效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达29A的连续漏极电流。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗,特别适合高频应用。
  4. 小巧的LFPAK88封装,提供优异的散热性能和低寄生电感。
  5. 宽工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业规范。

应用

BUK7507-55B 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的同步整流。
  2. 负载开关和保护电路,用于服务器、网络设备和消费电子。
  3. 电动工具和小型电机驱动中的功率级控制。
  4. 工业自动化设备中的功率转换和控制。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电路径管理。
  6. 汽车电子系统中的各种电源管理模块。

替代型号

IRF7728,
  BSC016N06NS3,
  STP29NB60L,
  FDMQ8207

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BUK7507-55B参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压55 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流119 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0071 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间41 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散203 W
  • 上升时间52 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间77 ns
  • 零件号别名BUK7507-55B,127