BUK7230-55A,118是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的高性能功率MOSFET器件,采用TrenchMOS技术,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。该器件广泛应用于电源管理、工业控制、DC-DC转换器、电机驱动及电池管理系统等场景。BUK7230-55A采用D2PAK封装,具备高功率密度和良好的散热能力,适用于需要高可靠性和高效率的系统设计。
型号:BUK7230-55A,118
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):80A
漏源电压(VDS):55V
栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:D2PAK
工艺技术:TrenchMOS
BUK7230-55A,118采用先进的TrenchMOS技术,显著降低了导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了整体效率。该器件的RDS(on)典型值仅为5.5mΩ,即使在高电流条件下也能保持较低的功耗。此外,该MOSFET具有优异的热稳定性,在高温环境下仍能维持稳定运行。
其D2PAK封装设计具有优良的散热性能,支持高功率密度应用,同时便于安装和热管理。该封装还具备较高的机械强度和耐久性,适合工业级应用环境。
BUK7230-55A的栅极驱动电压范围为±20V,兼容多种驱动电路设计,确保了在不同应用场景下的稳定控制。其最大漏极电流可达80A,适用于高电流负载的开关控制。
该器件还具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压情况下保持稳定,增强了系统的可靠性和耐用性。此外,其宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)使其适用于各种严苛环境。
BUK7230-55A,118广泛应用于各类功率电子系统中,包括但不限于:DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备、电源管理模块以及汽车电子系统等。其高电流能力和低导通损耗特性使其成为高效率和高可靠性要求应用的理想选择。
在DC-DC转换器中,BUK7230-55A可用于高侧或低侧开关,实现高效的能量转换。在电机控制和驱动电路中,该器件能够承受高启动电流和频繁开关操作带来的压力,确保系统稳定运行。
此外,该MOSFET在电池管理系统中可用于充放电控制和保护电路,提供可靠的高电流开关能力。在工业自动化和电源管理系统中,BUK7230-55A可用于负载切换、电源分配和热插拔控制等关键功能。
IRF1405, Si7410DP, BSC050N06LS