时间：2025/9/14 16:19:33
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BUK7212-55B,118是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换和开关应用设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，适用于各种电源管理和功率控制电路。该MOSFET采用TISON（Thin Small Outline Non-leaded）封装，具有优异的热性能和紧凑的尺寸，适合在空间受限的应用中使用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：55V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：6A
RDS(on)（最大值）：21mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（Ptot）：30W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TISON
BUK7212-55B,118具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的最大RDS(on)为21mΩ，在VGS = 10V条件下，能够有效降低功率损耗并减少发热。此外，该MOSFET的漏源耐压为55V，栅源电压范围为±20V，具有较高的电压承受能力，适用于多种中低压功率转换应用。
该MOSFET的连续漏极电流为6A，在合理散热条件下可支持较高负载。其功率耗散能力为30W，结合TISON无引脚封装的优良散热性能，可在高负载工况下保持稳定运行。TISON封装不仅减小了PCB占用空间，还通过底部散热焊盘提高了热传导效率，增强了器件的热稳定性。
工作温度范围覆盖-55°C至+150°C，使BUK7212-55B,118适用于多种环境条件，包括工业控制、汽车电子和消费类电源设备。其高可靠性设计确保在恶劣工作环境下仍能稳定运行。此外，该器件具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高系统响应速度。
BUK7212-55B,118广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机控制、LED驱动电路以及工业自动化设备等。在电源管理模块中，该MOSFET可用作主开关器件，提高转换效率并减少发热；在DC-DC转换器中，其低RDS(on)特性有助于提升能效；在电池管理系统中，可用于电池充放电控制和保护电路；在负载开关设计中，其高开关速度和低导通损耗使其成为理想选择。
由于其TISON封装的高散热性能，该器件特别适合用于空间受限且需要高功率密度的便携式设备和车载电子系统。在电机驱动电路中，BUK7212-55B,118可用于控制小型直流电机或步进电机，提供稳定的开关性能和良好的热管理能力。此外，它也可用于LED背光驱动、智能照明系统和低电压电源分配系统。
BUK7212-55B,118的替代型号包括BUK7K22-55B、BUK7K26-55B、BUK7K28-55B等NXP同系列器件，以及来自其他厂商的兼容型号如SiS4336BDT、IRLML6402TRPBF等。这些替代型号在电气性能、封装形式和应用场景方面具有相似性，可根据具体设计需求进行选择。
