时间：2025/9/14 17:27:18
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BUK7208-40B,118 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件设计用于高效率、高功率的应用场景，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。其采用先进的TrenchMOS技术制造，确保了在各种工作条件下均能保持稳定的性能。BUK7208-40B,118广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等领域。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5.7mΩ（典型值，VGS=10V）
功耗（Ptot）：150W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BUK7208-40B,118具备多项优异特性，使其在高性能功率应用中表现出色。
首先，其导通电阻非常低，仅为5.7mΩ（在VGS=10V时），这有助于减少导通损耗，提高系统效率。低RDS(on)还意味着在大电流工作条件下，温度上升更小，提高了器件的可靠性。
其次，该器件的最大漏极电流为100A，能够承受高电流负载，适用于高功率开关应用。同时，漏源电压最大为40V，适用于中等电压范围的电源管理与电机控制场景。
该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。TO-220封装也便于安装在散热片上，以进一步提升热管理能力。
此外，BUK7208-40B,118具有较高的栅源电压容限（±20V），提高了在复杂电磁环境下的稳定性和抗干扰能力。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适合在极端温度环境下工作，如汽车引擎控制模块和工业自动化系统。
该器件还具备良好的短路和过载保护能力，有助于提升系统安全性和稳定性。TrenchMOS技术的应用使得该MOSFET在开关过程中具有较低的开关损耗，从而进一步提升整体效率。
BUK7208-40B,118因其高性能和高可靠性，广泛应用于多个领域。
在汽车电子领域，该器件常用于发动机控制单元（ECU）、电动助力转向系统（EPS）、车载逆变器以及电池管理系统（BMS）。其高电流承载能力和宽工作温度范围非常适合汽车恶劣的工作环境。
在工业控制方面，BUK7208-40B,118可用于变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源和开关电源模块。其低导通电阻和高效率特性有助于提升设备的整体能效。
此外，该MOSFET也广泛应用于消费类电子设备中的DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。例如，在电动工具、无人机和机器人系统中，它可以作为高效功率开关，实现对电机的精准控制。
由于其出色的热稳定性和耐久性，BUK7208-40B,118也被用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
IPB04N0410A, STP100N4F6, FDP100N40, IRLB8726PbF
