时间：2025/9/14 16:10:14
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BUK6Y61-60P是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高性能开关应用设计。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和出色的热性能。其封装形式为D2PAK（TO-263）表面贴装封装，适用于需要高功率密度和紧凑设计的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为3.75mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
BUK6Y61-60P具有多项突出的电气和热性能特性，适用于各种高功率开关应用。其导通电阻非常低，最大值仅为3.75mΩ，在10V栅源电压下可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的电流处理能力非常强，最大漏极电流可达120A，适合用于高功率密度的电源设计。
这款MOSFET采用了先进的TrenchMOS技术，确保了在高温环境下依然具备稳定的工作性能。其最大工作温度可达到175°C，使其在严苛的工作条件下依然可靠。D2PAK封装形式不仅便于表面贴装，还具有良好的热管理能力，有助于将热量快速散发，从而延长器件的使用寿命。
在栅极驱动方面，BUK6Y61-60P支持高达±20V的栅源电压，兼容常见的10V和12V驱动电路，适用于多种功率转换拓扑结构，如同步整流、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。同时，该器件具备快速开关特性，减少了开关损耗，进一步提升了系统效率。
BUK6Y61-60P广泛应用于各种高功率电子系统中，例如服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、电动工具、工业电机驱动、负载开关控制以及电池管理系统等。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效率电源设计的理想选择，尤其适合需要高功率密度和紧凑布局的应用场景。
SiS886N, IRFB4110, IPB061N06N3, BSC090N06NS5
