时间：2025/9/14 1:03:36
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BUK6Y19-30PX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统。该器件采用高性能TrenchMOS技术，提供低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）等应用。其封装形式为PowerSO8（也称为LFPAK56或Power-SO8），具备优良的散热性能，支持表面贴装（SMD）工艺。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大连续漏极电流（ID）：19A
导通电阻（RDS(on)）：10.5mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V至2.5V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PowerSO8
BUK6Y19-30PX具有多项出色的电气和热特性。
首先，其低导通电阻（RDS(on)）为10.5mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率，特别适用于高电流应用如同步整流和负载开关。该器件的最大漏极电流可达19A，在适当的散热条件下可支持更高的功率处理能力。
其次，该MOSFET的最大漏源电压为30V，适用于多种中低电压功率转换系统，包括12V和24V电源系统。栅极阈值电压范围为1V至2.5V，属于逻辑电平驱动范围，可以直接由微控制器或数字信号处理器（DSP）控制，无需额外的栅极驱动电路。
此外，该器件采用PowerSO8封装，具有优异的热性能和电流承载能力。与传统TO-252或TO-263封装相比，PowerSO8更小、更薄，并且支持双面散热，有利于提高PCB布局的灵活性和散热效率。该封装还符合RoHS环保标准，适合无铅焊接工艺。
在可靠性方面，BUK6Y19-30PX具有较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性能，适用于对稳定性和可靠性要求较高的工业和汽车应用。其工作温度范围宽达-55°C至150°C，能够在极端环境下稳定工作。
BUK6Y19-30PX广泛应用于多个领域的功率电子系统。
首先，在电源管理领域，它常用于DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器中作为高边或低边开关，提供高效能的电压转换。由于其低RDS(on)和高电流能力，特别适合用于同步整流器，提高转换效率并减少发热。
其次，在负载开关和电源分配系统中，BUK6Y19-30PX用于控制电源的通断，例如在服务器、通信设备和工业控制系统中作为热插拔电源开关。其逻辑电平驱动特性使其易于与数字控制器接口。
另外，该MOSFET也适用于电机驱动和H桥电路，用于控制直流电机的转向和速度。在汽车电子中，它可用于电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）以及电动助力转向系统（EPS）中的功率控制模块。
此外，BUK6Y19-30PX也常用于电池供电设备，如笔记本电脑、平板电脑和便携式测试设备中的电源管理电路，以延长电池寿命并提高系统效率。
IPD180P03P4-03, BUK6Y17-30E, BUK6Y15-30E, BUK6Y21-30E, BUK9Y19-30AY
