BUK6Y19-30P 时间：2025/7/9 18:40:30 阅读：9

BUK6Y19-30P 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由安森美半导体（ON Semiconductor）制造。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能的功率转换应用。其额定电压为 30V，能够处理高达 40A 的连续电流。这款 MOSFET 特别适合于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等应用。
　　BUK6Y19-30P 提供了出色的热性能和电气性能，通过优化的封装设计进一步提升了系统的效率与可靠性。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大连续漏极电流：40A
　　导通电阻（典型值）：1.8mΩ
　　栅极电荷（典型值）：29nC
　　输入电容（典型值）：1760pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 175℃
　　封装形式：TO-220FP

特性

BUK6Y19-30P 具备以下主要特性：
　　1. 超低导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关速度，减少开关损耗，特别适合高频应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了在异常条件下的耐用性。
　　4. 极小的反向恢复电荷（Qrr），可实现更低的开关噪声和更高的可靠性。
　　5. 宽广的工作温度范围，使其能够在极端环境下稳定运行。
　　6. 符合 RoHS 标准，支持环保要求。

应用

BUK6Y19-30P 广泛应用于多种领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关功能。
　　2. 直流-直流转换器，包括降压和升压拓扑。
　　3. 电动工具、家用电器以及其他消费类电子产品的电机驱动。
　　4. 通信设备中的负载开关和保护电路。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电桩的功率转换部分。