BUK6D72-30EX 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计,广泛应用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等场景。BUK6D72-30EX 采用先进的 Trench MOS 工艺,具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性,适合在苛刻的工业和汽车环境中使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大漏极电流(Id):80A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):4.2mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):70nC
功率耗散(Pd):180W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-220
BUK6D72-30EX 采用先进的 Trench MOS 技术,具有极低的导通电阻 Rds(on),在 4.2mΩ 的典型值下可显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件支持高达 80A 的漏极电流,适用于大功率负载应用。其栅极电荷仅为 70nC,意味着该 MOSFET 在高频开关应用中具有较低的驱动损耗,有助于提升整体能效。
此外,BUK6D72-30EX 具有出色的热稳定性,能够在高达 175°C 的结温下稳定工作,适用于高温环境。其 TO-220 封装形式具备良好的散热性能和机械强度,便于安装和散热管理。该器件还具有良好的雪崩能量耐受能力,增强了在异常工况下的可靠性。
由于其出色的性能参数,BUK6D72-30EX 被广泛用于汽车电子系统、工业电源、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、同步整流电路等高要求的应用场景。
BUK6D72-30EX 广泛应用于多种高功率密度和高效率需求的电子系统中。其典型应用场景包括:DC-DC 升压/降压转换器、负载开关电路、电机控制驱动器、电池管理系统(BMS)、电源管理模块、汽车电子系统(如电动助力转向系统 EPS、起动机发电机系统等)以及工业自动化设备中的功率控制单元。该器件的低导通电阻和高电流能力使其在需要高效能和低损耗的电源设计中表现出色。
SiR882DP, BSC0803LS, IPB080N04NG