您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BUK6D23-40EX

BUK6D23-40EX 发布时间 时间:2025/9/14 22:15:47 查看 阅读:12

BUK6D23-40EX是一款由NXP Semiconductors制造的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专门设计用于高效率、高可靠性的功率应用。该器件采用先进的Trench技术,提供卓越的导通电阻和开关性能,适用于汽车、工业电源、DC-DC转换器和电机控制等领域。BUK6D23-40EX采用单片式结构,具备高雪崩耐受能力,确保在极端条件下的稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):40V
  漏极电流(Id):100A
  导通电阻(Rds(on)):2.3mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷(Qg):160nC
  输入电容(Ciss):2500pF
  封装类型:D2PAK
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

BUK6D23-40EX的核心特性在于其卓越的导通性能和极低的Rds(on),这使得该器件在高电流应用中能够最大限度地减少功率损耗。其2.3mΩ的导通电阻在100A电流下仅产生230W的导通损耗,显著提高了整体系统效率。此外,该MOSFET具备出色的热性能,采用D2PAK封装,具有良好的散热能力,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
  该器件的栅极驱动设计优化,支持快速开关操作,同时降低开关损耗。160nC的栅极电荷(Qg)确保了较快的开关速度,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流器。此外,BUK6D23-40EX具备强大的雪崩耐受能力,能够在过压或短路情况下保持器件的完整性,提高系统的可靠性和耐用性。
  另一个重要特性是其高输入阻抗和低漏电流,这使得该MOSFET在待机模式下功耗极低,非常适合节能型应用。此外,其-55°C至175°C的工作温度范围使其能够在极端环境条件下正常运行,适用于汽车和工业控制系统等对温度要求较高的应用场景。

应用

BUK6D23-40EX广泛应用于多个高功率领域,包括汽车电子系统(如电动助力转向、电池管理系统和车载充电器)、工业电源、DC-DC转换器、电机驱动器和太阳能逆变器。在汽车应用中,该器件的高可靠性和宽温度范围使其成为车载电源系统和电动车辆动力系统的关键组件。在工业领域,它可用于高性能电源模块、不间断电源(UPS)以及自动化控制系统中的电机驱动电路。此外,由于其优异的导通性能和热管理能力,BUK6D23-40EX也适用于高效率的开关电源(SMPS)和负载开关应用。

替代型号

IPW60R045C7, FDP100N40, STP100N4F6AG

BUK6D23-40EX推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BUK6D23-40EX参数

  • 现有数量3,166现货
  • 价格1 : ¥3.34000剪切带(CT)3,000 : ¥1.17481卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Ta),19A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)23 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)19 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)582 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.3W(Ta),15W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN2020MD-6
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘