时间：2025/9/14 8:02:49
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BUK6C2R1-55C,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的TrenchMOS技术制造。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于高效率功率转换应用。该器件采用D2PAK（TO-263）封装，适用于表面贴装，便于在各种电源管理系统中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：55V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：2.1mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：D2PAK（TO-263）
安装类型：表面贴装
BUK6C2R1-55C,118 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。
首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）为2.1mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。在高电流应用中，这种低电阻特性尤为重要，因为它可以减少功率损耗和发热，从而提升系统的稳定性和可靠性。
其次，该MOSFET的最大漏极电流为80A，能够在高负载条件下提供稳定的性能。其漏源电压额定值为55V，适用于多种中压功率转换应用，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和负载开关等。
此外，该器件支持±20V的栅源电压，提供了更高的栅极驱动灵活性，同时具备良好的抗过压能力。其TrenchMOS技术确保了在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
该MOSFET采用D2PAK（TO-263）封装，具备良好的热管理能力，能够有效散热，减少热阻，从而延长器件寿命。该封装形式也便于表面贴装，简化了PCB布局和组装流程。
最后，BUK6C2R1-55C,118 在设计上优化了开关性能，具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。这些特性使其成为高效能电源管理系统的理想选择。
BUK6C2R1-55C,118 广泛应用于多种高性能功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于高效的DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关电路中，以实现高效率的能量转换。
在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可用于电机驱动和功率控制模块，提供高可靠性和高效率的开关性能。
在汽车电子方面，BUK6C2R1-55C,118 适用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统等应用，其宽工作温度范围和高可靠性使其能够适应严苛的汽车环境。
此外，该器件也适用于高功率LED照明驱动、服务器电源和通信设备电源系统等高要求应用场景，确保设备在高负载下稳定运行。
BUK6C2R1-55A,118; BUK6C3R2-55C,118; IPB08N06N3 G
