IR2C34 时间：2025/8/27 18:45:06 阅读：7

IR2C34 是由 Infineon（英飞凌）生产的一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于如电源转换、马达控制、DC-DC 转换器、电池管理系统等场景。IR2C34 采用先进的沟槽技术，确保在高频率下仍能保持较低的开关损耗，是许多工业和汽车电子系统中的关键组件。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：180A
　　最大源极电流：180A
　　最大漏极电压：30V
　　最大源极电压：30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.95mΩ
　　栅极阈值电压：2.0V~4.0V
　　最大功耗：250W
　　工作温度范围：-55°C~175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

特性

IR2C34 的核心优势在于其出色的导通性能和热稳定性，这得益于其先进的沟槽式 MOSFET 技术。该器件的低 Rds(on)（仅为 0.95mΩ）显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。此外，IR2C34 在高电流下仍能保持良好的稳定性和较低的温升，使其非常适合用于高功率密度的设计中。
　　这款 MOSFET 还具备良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定工作，确保系统的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（2.0V~4.0V），兼容多种驱动电路，便于设计和集成。
　　另外，IR2C34 的封装采用 PowerPAK SO-8 形式，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于 SMT（表面贴装技术）工艺，提升了 PCB 布局的灵活性和空间利用率。

应用

IR2C34 被广泛应用于多个高功率和高效率要求的领域。在电源管理系统中，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，以提高能量转换效率并减少热量产生。在电机控制系统中，IR2C34 作为 H 桥的功率开关，能够提供高电流和低损耗的开关性能。
　　此外，IR2C34 还被广泛应用于电池管理系统（BMS）中，用于实现高效的充放电控制和电池保护。在汽车电子领域，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和启停系统中，IR2C34 也表现出色，满足了汽车电子对高可靠性和高耐久性的严苛要求。
　　对于服务器电源、工业自动化设备和电信基础设施等高性能系统，IR2C34 的高电流能力和低导通电阻使其成为理想的功率开关器件。