时间：2025/7/8 21:11:59
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BUK663R2-40C是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET，采用DPAK封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等功率管理领域。
这款MOSFET的设计旨在提供高效的功率转换性能，并支持高频率操作环境。通过优化的制造工艺，BUK663R2-40C能够有效降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：19A
导通电阻：2mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：快速
封装形式：DPAK
BUK663R2-40C具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，仅为2mΩ，有助于减少功率损耗。
2. 高额定电流能力，可支持高达19A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷，使得其在高频应用中表现优异。
4. 耐热增强型DPAK封装设计，提升了散热性能。
5. 稳定性好，在各种工作条件下均能保持可靠的性能。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子设备的要求。
BUK663R2-40C适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率控制部分。
4. 电池管理系统中的负载切换功能。
5. 各类工业自动化设备中的功率调节与控制模块。
6. 汽车电子系统中的功率转换与驱动组件。
IRF7738, FDP17N40L
