时间：2025/7/11 21:36:28
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BUK662R7-55C是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263封装，适合用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关特性，以满足现代电力电子系统对高效能和小型化的需求。
BUK662R7-55C的最大漏源电压为55V，能够承受较高的电压波动，同时具备出色的热性能和电气性能，适用于工业、汽车以及消费类电子产品。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：109A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：85nC
开关时间：典型值t_d(on)=23ns，典型值t_d(off)=44ns
工作结温范围：-55℃至175℃
BUK662R7-55C采用了先进的Trench技术制造，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压下仅为1.7mΩ，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力，通过优化栅极电荷（Qg）来减少开关损耗。
3. 良好的热稳定性，能够在高达175℃的工作结温下稳定运行。
4. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的耐用性。
5. 小型化封装（TO-263），节省PCB空间并简化布局设计。
这款功率MOSFET广泛应用于需要高效功率转换的场景中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备中的负载开关
6. 汽车电子系统中的功率管理模块
IRF3205
FDP55N06L
STP100N5F3
