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BUK662R7-55C,118 发布时间 时间:2025/9/14 13:25:59 查看 阅读:24

BUK662R7-55C,118 是由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款高性能功率 MOSFET 器件,采用先进的 Trench MOS 技术制造。该器件具有极低的导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,适用于高效率电源转换系统,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制应用。该器件采用小型化封装,具有良好的热性能,能够在高电流和高频率下稳定工作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):55V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):80A
  导通电阻(Rds(on)):2.7mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装形式:TO-220AB
  功率耗散(Pd):150W

特性

BUK662R7-55C,118 的主要特性之一是其非常低的导通电阻(Rds(on))仅为 2.7mΩ,在 Vgs=10V 时,可以显著降低导通损耗,提高整体系统效率。该器件的漏源电压为 55V,能够承受较高的电压应力,适用于中压功率应用。
  此外,该 MOSFET 支持高达 80A 的连续漏极电流,具有强大的电流承载能力,适合用于高功率密度设计。其 ±20V 的栅源电压范围确保了在各种驱动条件下器件的稳定性和可靠性,同时降低了栅极击穿的风险。
  该器件的 TO-220AB 封装不仅提供了良好的热管理能力,还便于安装和散热片连接,有助于在高负载下维持较低的结温。150W 的功率耗散能力使其能够在高功率应用中稳定运行。
  在工作温度方面,BUK662R7-55C,118 可在 -55°C 至 175°C 的宽温度范围内正常工作,适用于各种工业和汽车应用环境。该器件还具有良好的抗雪崩能力,能够承受瞬时过压和过流条件,提高了系统的可靠性。

应用

BUK662R7-55C,118 广泛应用于各类电源管理系统,包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。其高效率和低导通电阻的特性使其特别适合用于高功率密度的电源模块,如服务器电源、电信设备电源和工业自动化系统。
  在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和电池管理系统(BMS)等应用。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于恶劣的汽车工作环境。
  此外,该 MOSFET 还可用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)系统和储能系统,满足绿色能源应用对高效率和长寿命的需求。

替代型号

SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IRF6785, BUK662R7-55C,128

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BUK662R7-55C,118参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.7 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs258nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds15300pF @ 25V
  • 功率 - 最大306W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-6900-6