时间：2025/9/14 1:52:43
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BUK6218-40C,118是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率的功率转换应用，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性。该MOSFET通常用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等场景。其封装形式为TO-220，便于散热并适用于多种工业标准。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：40V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：80A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
功率耗散（Ptot）：130W
栅极电荷（Qg）：130nC（典型值）
BUK6218-40C,118具有多项优良的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。由于其高栅极电荷特性，该器件能够在高频开关应用中保持稳定的性能，适用于需要快速开关的功率转换器。
该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的热传导性能，可以在高功率条件下保持较低的结温，从而提升器件的可靠性和寿命。此外，其高电流承载能力（80A连续漏极电流）使其适用于大功率负载，如电动机驱动、电池充电系统和开关电源。
在安全和保护方面，BUK6218-40C,118具备过温保护功能，能够在极端工作条件下自动降低电流以防止损坏。其宽工作温度范围（-55°C至+175°C）使其适用于严苛环境下的工业和汽车应用。
BUK6218-40C,118广泛应用于多个领域，包括DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电机控制器和工业自动化设备。其高效率和低导通电阻使其特别适合用于电池供电设备和新能源系统，如太阳能逆变器和电动车控制系统。此外，该器件还可用于电源模块、不间断电源（UPS）和高功率LED驱动器等应用。
IRF1404ZPBF, STP80NF40, FDP80N40
