时间：2025/9/14 0:35:16
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BUK6211-75C,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效功率管理的工业和汽车应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，适用于高频开关应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：110 A
最大漏-源电压（VDS）：75 V
导通电阻（RDS(on)）：5.5 mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
封装类型：TO-263 (D2PAK)
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
安装类型：表面贴装
BUK6211-75C,118 具有极低的导通电阻，确保在高电流下也能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该MOSFET采用TrenchMOS技术，使得在较小的芯片面积上实现更高的电流密度，增强了器件的性能与可靠性。其封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的热管理和机械稳定性，适合在高温环境下运行。
此外，该器件支持快速开关操作，适用于高频率开关电源和DC-DC转换器，能够有效降低开关损耗。其栅极驱动电压范围宽泛，可兼容多种控制器的输出信号，提高了设计的灵活性。由于其优异的雪崩能量承受能力，该MOSFET在负载突变或短路情况下仍能保持稳定运行，提升了系统的安全性与耐用性。
该MOSFET还具备较高的抗短路能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，适用于需要高可靠性的汽车电子和工业控制应用。同时，其符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，符合现代绿色电子产品的设计要求。
BUK6211-75C,118 常用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、起停系统、车载充电器和电池管理系统（BMS）。此外，它也广泛应用于工业电机控制、DC-DC转换器、服务器电源、不间断电源（UPS）以及各种高功率密度电源模块。
在新能源领域，该器件适用于太阳能逆变器、储能系统以及电动汽车充电设备等高功率应用。其高可靠性和优异的热性能使其成为高要求环境下的理想选择，适用于需要长期稳定运行的系统设计。
IRF1405, SiR1000DG, BUK6212-75C,118
