BUK4D60-30 时间：2025/5/7 13:10:48 阅读：12

BUK4D60-30 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供优异的性能。

参数

型号：BUK4D60-30
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压Vds：60V
　　最大栅源电压Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流Id：30A
　　导通电阻Rds(on)：1.8mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　总功耗Ptot：95W
　　工作结温范围Tj：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220
　　电容参数：输入电容Ciss=2000pF，输出电容Coss=250pF，反向传输电容Crss=100pF

特性

BUK4D60-30 的主要特性包括：
　　1. 高效性：得益于其极低的导通电阻（Rds(on)），在大电流应用中能够显著降低传导损耗。
　　2. 快速开关能力：具有较低的栅极电荷和反向传输电容，使得开关速度更快，从而减少开关损耗。
　　3. 热稳定性强：支持高达175°C的工作结温，确保在恶劣环境下仍能可靠运行。
　　4. 强大的电流承载能力：额定电流高达30A，适用于多种高功率场景。
　　5. 封装优势：采用标准TO-220封装，便于散热设计与安装，同时兼容传统焊接工艺。
　　这些特性共同使得 BUK4D60-30 成为工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的理想选择。

应用

BUK4D60-30 常用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流元件。
　　2. 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的控制电路。
　　3. DC-DC转换器：实现高效的电压转换功能。
　　4. 电池管理系统（BMS）：用作保护电路中的关键元件。
　　5. 其他高功率应用场景：如太阳能逆变器、LED驱动器等。
　　凭借其出色的性能和可靠性，该器件能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。