5M160ZT100I5N 时间：2025/5/9 18:28:59 阅读：5

5M160ZT100I5N 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，适用于高效率电源转换、电机驱动以及开关应用。该器件采用了先进的制程技术，在低导通电阻和快速开关速度之间实现了良好的平衡，从而提升了系统整体效率并降低了功耗。
　　这款 MOSFET 专为工业级和汽车级应用场景设计，能够在恶劣环境下保持稳定运行。其封装形式支持高效的散热管理，并且具有出色的电气性能。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：16A
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　栅极电荷：48nC
　　总电容：30pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

5M160ZT100I5N 具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少传导损耗，提高功率转换效率。
　　2. 快速开关能力，确保在高频操作下的卓越性能。
　　3. 高雪崩能量耐量，增强了器件在异常条件下的可靠性。
　　4. 支持高温工作环境，满足工业与汽车领域对可靠性的严格要求。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电路设计中。
　　6. 优化的热性能设计，使得即使在高功率密度条件下也能维持较低的工作温度。
　　这些特性共同保证了该 MOSFET 在多种复杂工况下都能提供高效、稳定的性能表现。

应用

5M160ZT100I5N 广泛应用于以下场景：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
　　2. 电机驱动控制器，例如无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机控制。
　　3. 太阳能逆变器中的功率调节模块。
　　4. 汽车电子系统，如电动助力转向 (EPS)、制动系统及车载充电器。
　　5. 工业自动化设备中的功率开关和负载切换。
　　由于其出色的电气性能和环境适应能力，这款 MOSFET 成为许多高要求应用的理想选择。