时间：2025/9/13 21:31:46
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BUK4D38-20PX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的 TrenchMOS 技术制造。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和优异的热稳定性。该封装为 D2PAK（TO-263）形式，便于散热，适用于表面贴装技术（SMT）。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：200V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：42A
导通电阻(Rds(on))：最大38mΩ
功耗(Pd)：180W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：D2PAK(TO-263)
BUK4D38-20PX 的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)）和出色的热性能，使其在高功率应用中能够有效降低导通损耗并提高系统效率。其先进的 TrenchMOS 技术确保了器件在高频开关应用中的稳定性和可靠性。此外，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下提供额外的保护。
该器件的栅极驱动电压范围宽广（±20V），兼容多种控制电路设计，并且具备良好的抗干扰能力。D2PAK 封装设计不仅提高了热传导效率，还简化了 PCB 布局和散热器的安装，适用于需要高可靠性和紧凑设计的电源系统。
此外，BUK4D38-20PX 还具有快速开关速度，适用于各种高效率 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和电池供电系统等应用领域。
BUK4D38-20PX 主要应用于需要高效率和高功率密度的场合，如服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动和逆变器系统。此外，该器件也广泛用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）以及汽车电子中的功率控制模块。
在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电模块中，BUK4D38-20PX 同样表现出色，能够有效提高能量转换效率并降低系统发热。其优异的热稳定性也使其在高温环境下依然保持稳定运行。
SiC MOSFET（如 Cree / Wolfspeed 的 C2M0040120D）、IXYS 的 IXFH48N200P、Infineon 的 IPW60R036P7
