时间：2025/9/14 2:54:33
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BUK4D110-20PX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的功率转换应用。BUK4D110-20PX为N沟道增强型MOSFET，封装形式为PowerSO-10，适合用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电机控制等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：200V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：110A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：最大11.5mΩ（在VGS=10V）
功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装：PowerSO-10
BUK4D110-20PX采用了NXP的先进TrenchMOS技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件能够在高电压和大电流条件下稳定工作，适用于高功率密度设计。其PowerSO-10封装不仅提供了良好的热性能，还具有较小的PCB占位，适用于紧凑型设计。此外，该MOSFET具备高雪崩能量承受能力，增强了在高应力条件下的可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与多种栅极驱动器配合使用。其快速开关特性可降低开关损耗，适用于高频开关应用。此外，BUK4D110-20PX具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作而不发生性能下降，适用于工业级和汽车级应用。由于其高可靠性和高性能，该器件广泛用于服务器电源、电信设备、工业自动化和新能源系统等领域。
BUK4D110-20PX适用于多种功率电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流模块、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及高效率电源供应器。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的工业控制和电源管理应用。此外，该MOSFET也可用于新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统以及电动汽车中的功率转换模块。
IPW60R017C7, IRFP4468PbF, STW110N2K5T4-AG
