BUK457-400 时间：2025/12/27 22:07:10 阅读：14

BUK457-400是一款由NXP Semiconductors（原Philips Semiconductors）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等高效率功率管理场合。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关特性，能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，从而提升系统整体能效。BUK457-400的额定电压为40V，最大连续漏极电流可达130A，适用于需要大电流输出和高可靠性的应用场景。该器件封装在LFPAK（类似PowerSO8）小型表面贴装封装中，具有良好的热性能和机械可靠性，便于自动化生产与散热设计。由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式，BUK457-400特别适合用于现代高密度电源系统中，如通信设备、工业控制系统和消费类电子产品中的同步整流或高端/低端开关拓扑结构。此外，该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力和抗瞬态过压能力，增强了系统在异常工作条件下的鲁棒性。

参数

型号：BUK457-400
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：40V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：130A
　　脉冲漏极电流(IDM)：520A
　　导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ @ VGS=10V, ID=65A
　　导通电阻(RDS(on))：3.1mΩ @ VGS=4.5V, ID=65A
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：约4000pF
　　输出电容(Coss)：约900pF
　　反向恢复时间(trr)：约26ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：LFPAK（PowerSO8）

特性

BUK457-400的核心优势在于其采用了NXP成熟的TrenchMOS工艺技术，这种垂直沟道结构显著降低了单位面积下的导通电阻，使得在40V耐压等级下实现低至2.3mΩ的RDS(on)成为可能。这一特性极大地减少了器件在导通状态下的功率损耗，尤其在大电流应用中表现突出，有助于提高电源系统的转换效率并降低对散热设计的要求。该器件在VGS=10V时可实现完全导通，同时在更低的栅极驱动电压（如4.5V）下仍能保持较低的导通电阻（3.1mΩ），使其兼容于现代低电压逻辑驱动电路，例如由PWM控制器直接驱动的应用场景。此外，其高达130A的连续漏极电流能力，配合出色的热传导性能LFPAK封装，可在紧凑空间内实现高功率密度设计。
　　LFPAK封装不仅尺寸小巧，节省PCB布局空间，还通过底部裸露金属焊盘实现高效的热传导路径，有利于将芯片产生的热量快速传递至PCB地层或散热器，从而提升长期运行的稳定性和可靠性。相比传统的TO-220或DPAK封装，LFPAK在焊接可靠性和抗热循环疲劳方面更具优势，适用于自动化回流焊工艺。BUK457-400还具备优良的开关性能，包括较低的栅极电荷（Qg）和输出电容，这有助于减少开关过程中的动态损耗，提升高频工作的效率。其内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，进一步降低了在桥式或续流应用中的反向恢复损耗和电磁干扰风险。
　　在可靠性方面，BUK457-400经过严格的质量测试，符合AEC-Q101汽车级认证标准，表明其可在严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业及汽车电子领域。器件还具备一定的雪崩能量承受能力，能够在突发的电压过冲或感性负载关断过程中提供一定程度的自我保护，减少因瞬态应力导致的失效风险。综合来看，BUK457-400凭借其低导通电阻、高电流能力、优良热性能和稳健的工艺设计，成为中低压大电流功率开关应用中的理想选择。

应用

BUK457-400广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统中。典型应用包括同步整流式开关电源（SMPS），特别是在DC-DC降压变换器（Buck Converter）的下管或上管位置，利用其低RDS(on)特性减少导通损耗，提升整体能效。在服务器电源、通信电源模块和笔记本电脑适配器中，该器件可用于多相VRM（电压调节模块）设计，支持处理器供电需求。此外，在电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机和便携式储能设备中，BUK457-400常被用作负载开关或电机驱动电路中的主开关元件，实现快速响应和高效能量传输。在汽车电子领域，它可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和车身控制模块中的高边或低边驱动电路。其高电流承载能力和良好热性能也使其适用于大功率LED驱动、逆变器和UPS不间断电源等工业电源系统。