BUK456-50A 时间：2025/12/23 19:23:24 阅读：13

BUK456-50A是一款N沟道功率MOSFET，由安森美（ON Semiconductor）生产。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。
　　这种功率MOSFET的主要特点是低导通电阻（Rds(on)），能够在高电流应用中减少功率损耗并提高效率。此外，它具有较高的漏源击穿电压（V(BR)DSS），能够承受较大的电压波动，从而在恶劣环境下保持稳定运行。

参数

最大漏源电压：50V
　　连续漏极电流：23A
　　导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
　　栅极电荷：39nC
　　输入电容：1380pF
　　开关速度：快速恢复
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

BUK456-50A具有以下显著特性：
　　1. 高效性能：超低的导通电阻有助于降低导通损耗，在大电流应用中提升整体效率。
　　2. 高耐用性：其50V的漏源击穿电压使其适用于多种高压场景，同时具备良好的热稳定性。
　　3. 快速开关能力：低栅极电荷和优化的内部结构设计使该器件能够实现高频开关操作，适合于高频电源应用。
　　4. 紧凑封装：采用标准TO-220封装，便于安装和散热设计。
　　5. 广泛的工作温度范围：支持从-55℃到+150℃的结温范围，确保在极端条件下的可靠运行。

应用

BUK456-50A适用于以下应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）：包括离线式电源适配器、充电器等。
　　2. 电机驱动：用于控制直流无刷电机（BLDC）或步进电机的运行。
　　3. DC-DC转换器：提供高效的电压转换功能。
　　4. 负载开关：作为负载开关使用，可实现快速的开启与关闭。
　　5. 电池保护电路：防止过流、短路等异常情况发生。
　　6. 其他需要高效功率开关的应用场景。