BUK456-100B 是一款 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),由安森美半导体(ON Semiconductor)生产。该器件采用 TO-220 封装,适用于高电压和高电流的应用场合。它具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能等特性,适合用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他功率转换电路。
BUK456-100B 的设计旨在提供高效能和高可靠性,使其成为工业和消费类电子应用中的理想选择。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:8A
导通电阻:35mΩ
栅极电荷:27nC
输入电容:1420pF
最大功耗:98W
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-220
BUK456-100B 具有以下显著特性:
1. 高效率:低导通电阻确保在大电流应用中降低功率损耗。
2. 快速开关:低栅极电荷和低输入电容使器件能够在高频条件下快速开关。
3. 高可靠性:经过优化的热性能和坚固的设计,使得该器件能够在恶劣环境下长期稳定运行。
4. 简化设计:其高性能特点减少了对外部元件的需求,从而简化了整体电路设计。
5. 广泛的工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +150℃ 的结温范围,适应各种极端环境。
BUK456-100B 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括适配器、充电器和工业电源等。
2. 电机驱动:用于家用电器、电动工具和工业自动化设备中的无刷直流电机控制。
3. 逆变器:光伏逆变器、不间断电源(UPS)和其他需要高效功率转换的设备。
4. 电池管理:电池保护电路和能量回收系统。
5. 工业控制:如电磁阀驱动和固态继电器等。
IRFZ44N
STP80NF10
FDP15U10AN