FBR42ND005-P是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装平面肖特基势垒整流二极管,专为高效率、低电压直流应用而设计。该器件采用先进的平面技术制造,确保了稳定的电气性能和高可靠性。FBR42ND005-P的最大重复反向电压(VRRM)为40V,正向平均电流(IF(AV))在理想散热条件下可达6A,适用于需要紧凑封装和高效能转换的电源系统。其主要封装形式为DPAK(TO-252AA),便于在印刷电路板上进行自动化装配,并具备良好的热传导能力,适合用于需要良好散热性能的应用场景。该器件广泛应用于开关模式电源(SMPS)、逆变器、续流/箝位二极管以及极性保护电路中。
作为一款肖特基二极管,FBR42ND005-P具有较低的正向导通压降(VF),典型值在低压大电流工作条件下可显著降低功率损耗,从而提高整体系统效率。同时,由于其快速恢复特性,几乎无反向恢复电荷(Qrr),因此在高频开关应用中表现出色,减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI)。此外,该器件符合RoHS指令要求,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对环保和可持续发展的需求。
最大重复反向电压 VRRM:40 V
峰值非重复浪涌电流 IFSM:150 A
正向平均电流 IF(AV):6 A(TC = 75°C)
工作结温范围 TJ:-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围 Tstg:-55 °C 至 +150 °C
正向导通压降 VF:0.53 V(典型值,IF = 6 A, TJ = 25°C)
最大反向漏电流 IR:0.5 mA(最大值,VR = 40 V, TJ = 25°C)
热阻结到壳 RθJC:2.0 °C/W
封装类型:DPAK (TO-252AA)
FBR42ND005-P采用平面肖特基势垒技术,实现了低正向导通压降与高电流承载能力之间的良好平衡,使其在低压大电流电源转换应用中表现优异。其典型正向压降仅为0.53V,在6A的工作电流下可显著减少导通损耗,提升电源系统的整体能效。这一特性对于电池供电设备、便携式电子产品以及高密度电源模块尤为重要,有助于延长续航时间并减少散热设计复杂度。器件的反向恢复时间极短,且几乎没有反向恢复电荷(Qrr),这意味着在高频开关环境下不会产生明显的反向恢复电流尖峰,从而降低了开关节点的电压振铃和电磁干扰(EMI),提高了系统的稳定性和可靠性。
该器件具备优良的热性能,热阻结到壳(RθJC)仅为2.0°C/W,结合DPAK封装底部的大面积铜焊盘设计,能够有效将热量传导至PCB,实现高效的热管理。即使在高温环境或持续高负载工况下,也能保持稳定运行。FBR42ND005-P还具有较高的浪涌电流承受能力,峰值非重复浪涌电流可达150A,增强了其在瞬态过载或启动冲击条件下的鲁棒性。此外,该器件采用环保材料制造,符合RoHS和无卤素标准,适用于各类工业、消费类及通信电源系统。其可靠的封装结构和严格的生产控制流程确保了长期使用的稳定性,是替代传统快恢复二极管的理想选择,在同步整流不适用或成本受限的应用中尤为突出。
FBR42ND005-P广泛应用于多种电源拓扑结构中,尤其是在低压输出的开关模式电源(SMPS)中作为次级侧整流二极管使用,如DC-DC转换器、AC-DC适配器和离线式反激电源。由于其低正向压降和高电流能力,特别适用于5V、3.3V甚至更低电压输出的整流环节,能够有效减少导通损耗,提升转换效率。在逆变器系统中,该器件可用作续流或箝位二极管,帮助抑制感性负载产生的反电动势,保护主开关器件免受高压冲击。此外,它也常用于太阳能微逆变器、UPS不间断电源、电机驱动电路中的自由轮续流路径,以及电池充电管理系统中的防反接保护电路。
在汽车电子领域,FBR42ND005-P可用于车载充电器、DC-DC变换器和辅助电源单元,其宽工作温度范围(-55°C至+150°C)满足严苛的车规级环境要求。在工业控制设备中,该器件适用于PLC电源模块、传感器供电电路和嵌入式控制器的电源部分。由于其表面贴装封装形式,适合自动化贴片工艺,有利于大批量生产,提高组装效率和产品一致性。在通信基础设施设备如基站电源、光模块电源等对效率和空间有严格要求的应用中,FBR42ND005-P凭借其高性能和紧凑尺寸成为优选方案。
SBT6040LH3