型号：BUK455-100A
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：76 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：300 A
　　最大功耗（PD）：200 W
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10 V）：0.018 Ω
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 5 V）：0.023 Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：2800 pF
　　输出电容（Coss）：950 pF
　　反向恢复时间（trr）：48 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 ~ +175 °C
　　封装：TO-220

BUK455-100A的核心优势在于其采用了NXP成熟的TrenchMOS工艺，这种垂直沟槽结构显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现了超低的RDS(on)值。在VGS = 10V时，其典型导通电阻仅为15mΩ，最大不超过18mΩ，这意味着在大电流工作状态下产生的导通损耗非常小，有助于提高系统整体效率并降低对散热系统的要求。此外，该器件在VGS = 5V时仍能保持较低的导通电阻（最大23mΩ），使其兼容于5V逻辑电平驱动电路，适用于基于微控制器或专用驱动IC的控制系统。
　　该MOSFET具有出色的开关性能，输入电容（Ciss）为2800pF，输出电容（Coss）为950pF，使得其在高频开关应用中能够快速响应栅极驱动信号，减少开关延迟和过渡损耗。同时，其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr = 48ns），可有效抑制反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），特别适用于桥式拓扑结构中的续流路径，如半桥或全桥逆变器。
　　热稳定性方面，BUK455-100A的最大工作结温高达+175°C，并具备良好的热阻特性（Rth(j-c) ≈ 0.625 K/W），确保在高温环境下仍能安全运行。其TO-220封装不仅提供了优良的机械强度和电气绝缘性，还支持通过螺栓或夹具固定到大型散热片上，实现高效的热量传导与散发。此外，该器件内部未集成齐纳保护二极管，因此在使用时建议外部添加栅源极钳位保护电路，以防静电放电（ESD）或瞬态过压损坏栅氧化层。整体而言，BUK455-100A以其低损耗、高电流能力和稳健的可靠性，成为中高功率电源设计中的理想选择。

BUK455-100A广泛应用于各类需要高效、高电流开关能力的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是在同步整流拓扑中作为主开关或同步整流管使用，能够显著提升电源转换效率。在DC-DC变换器中，如降压（Buck）、升压（Boost）或双向变换器，该器件凭借其低RDS(on)和快速开关特性，有助于减小功率损耗和热积累，从而提高功率密度。此外，它也常用于电机控制电路，例如直流电机驱动、步进电机驱动以及电动工具中的H桥驱动模块，能够承受频繁启停和反向电流冲击。
　　在照明领域，BUK455-100A可用于电子镇流器或LED驱动电源中，尤其是在高频逆变电路中担任功率开关角色，提供稳定的电流输出和良好的调光性能。工业自动化设备中的电磁阀驱动、继电器切换和电源管理单元也是其常见应用方向。由于其具备较高的脉冲电流承受能力（IDM = 300A），该器件还可用于瞬态负载较大的场合，如电池充电系统、UPS不间断电源和太阳能逆变器中的功率级设计。
　　此外，因其封装形式为标准TO-220，易于手工焊接或自动化装配，BUK455-100A在原型开发和批量生产中都具有良好的适用性。对于需要并联使用的高功率设计，多个BUK455-100A可以并联以分担电流，但由于其正温度系数的RDS(on)特性较弱，建议配合均流措施或使用匹配器件以确保电流均衡。总体来看，该MOSFET适用于从消费类电子产品到工业级设备的多种中等功率开关应用。

IRF1405
　　SPB11N100C3
　　STP75NF75
　　FDPF18N10
　　APT100M10HC