BUK438-500B 时间：2025/6/29 4:37:32 阅读：3

BUK438-500B是一款N沟道功率MOSFET，由安森美（ON Semiconductor）生产。该器件采用TO-264封装形式，具有低导通电阻和高耐压能力，适用于各种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用场合。
　　BUK438-500B的设计旨在提高效率并减少功率损耗，其典型应用场景包括直流-直流转换器、逆变器、不间断电源（UPS）系统以及工业控制领域中的开关元件。

参数

最大漏源电压：500V
　　最大连续漏电流：12A
　　最大栅极源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.7Ω（在Vgs=10V时）
　　总功耗：270W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

BUK438-500B具备以下关键特性：
　　1. 高击穿电压：额定漏源电压为500V，确保在高压环境下的稳定运行。
　　2. 低导通电阻：在Vgs=10V时，导通电阻仅为3.7Ω，有助于降低导通状态下的功率损耗。
　　3. 快速开关性能：具有较低的输入电容和输出电容，支持高频开关操作。
　　4. 耐热增强型封装：采用TO-264封装，具备良好的散热性能，可承受更高的功率密度。
　　5. 宽工作温度范围：能够在-55℃至+175℃的环境下可靠运行，适合恶劣的工作条件。
　　6. 可靠性高：经过严格的制造工艺和测试流程，确保长期使用中的稳定性。

应用

BUK438-500B适用于多种电力电子设备中，具体应用包括：
　　1. 开关电源（SMPS）设计，如适配器、充电器等。
　　2. 直流-直流转换器，用于电压调节或电池管理系统。
　　3. 工业电机驱动和控制电路。
　　4. 不间断电源（UPS）系统中的功率开关。
　　5. 逆变器和太阳能逆变器模块。
　　6. 各类负载切换和保护电路。
　　由于其高耐压和低导通电阻特性，BUK438-500B特别适合需要高效能和高可靠性的高压应用场合。