BUK436W 时间：2025/12/27 21:32:37 阅读：10

BUK436W是NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效率、低导通电阻和良好热稳定性的电源管理场景中。该器件采用先进的沟槽技术制造，能够在较低的栅极驱动电压下实现优异的开关性能和导通特性。BUK436W特别适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电系统等应用领域。其封装形式为D2PAK（TO-263），具备良好的散热能力，适合中高功率应用场合。由于其优化的Rds(on)与栅极电荷平衡，该MOSFET在硬开关和高频操作条件下仍能保持较高的整体效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具有可靠的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，提升了系统在瞬态过压或短路情况下的鲁棒性。

参数

型号：BUK436W
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：D2PAK (TO-263)
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id) @25°C：190A
　　脉冲漏极电流(Id_pulse)：600A
　　导通电阻(Rds(on)) @Vgs=10V：2.8mΩ
　　导通电阻(Rds(on)) @Vgs=4.5V：3.7mΩ
　　栅极电荷(Qg) @10V：105nC
　　输入电容(Ciss)：5600pF
　　开启延迟时间(Td(on))：22ns
　　关断延迟时间(Td(off))：65ns
　　反向恢复时间(Trr)：40ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　热阻(Junction-to-Case, Rth(j-c))：0.65°C/W
　　热阻(Junction-to-Ambient, Rth(j-a))：50°C/W

特性

BUK436W采用NXP成熟的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与出色的开关特性之间的平衡。其最大漏源电压为30V，使其适用于12V或24V工业及汽车电源系统。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为2.8mΩ，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。即使在较低的驱动电压如4.5V下，其Rds(on)也能保持在3.7mΩ的低水平，确保在逻辑电平驱动条件下依然具备优良性能，适用于由微控制器直接驱动的应用场景。
　　该器件具有高达190A的连续漏极电流能力（在25°C下），并可承受高达600A的脉冲电流，表现出卓越的瞬态负载处理能力。这对于电机启动、大功率LED驱动或热插拔电路中的浪涌电流抑制至关重要。其栅极电荷Qg为105nC，在同类高电流MOSFET中属于较低水平，有助于减少驱动损耗并提升高频开关效率。
　　BUK436W的输入电容为5600pF，结合较低的栅极电阻，使得器件能够快速充放电，缩短开关时间。开启延迟时间为22ns，关断延迟时间为65ns，配合40ns的体二极管反向恢复时间，大幅降低开关过程中的交越损耗，适用于高频DC-DC变换器拓扑如同步整流Buck或Boost电路。
　　该器件采用D2PAK（TO-263）封装，具有较大的焊盘面积，便于PCB散热设计，通过适当的布局和敷铜可有效将热量传导至外部环境，确保长期可靠运行。其结到壳热阻仅为0.65°C/W，表明其内部热传导效率高。同时，最大工作结温可达+175°C，增强了在高温环境下的耐受能力，适合严苛工业和车载应用。
　　此外，BUK436W具备优良的抗雪崩能力，能够在电压瞬变或感性负载切换过程中吸收能量而不损坏，提高了系统的安全裕度。其栅氧化层经过严格可靠性验证，支持±20V栅源电压范围，防止因栅极过压导致击穿。整体设计兼顾了电气性能、热管理和长期可靠性，是中高功率开关应用的理想选择。

应用

BUK436W广泛应用于多种高效率电源系统中，包括但不限于同步整流式DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器，尤其在服务器电源、通信设备电源模块和嵌入式电源系统中作为主开关或同步整流管使用。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于大电流负载开关，例如电源排序控制、热插拔控制器中的通断元件，以及电池管理系统（BMS）中的充放电通路控制。在电机驱动领域，该器件可用于H桥或半桥拓扑中的低端或高端开关，驱动直流电机、步进电机等负载，提供快速响应和低功耗表现。此外，在UPS不间断电源、逆变器和LED照明驱动电源中，BUK436W也可作为关键开关元件，实现高效能量转换。由于其具备良好的热稳定性和宽温度工作范围，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电机、车身控制模块、电动助力转向（EPS）系统等对可靠性要求较高的场景。其D2PAK封装易于自动化贴装和回流焊接，适合大规模生产应用。