BUK148-50DL 时间：2025/12/27 20:47:03 阅读：16

BUK148-50DL是一款由NXP Semiconductors（原Philips）生产的高压MOSFET晶体管，广泛应用于高效率开关电源和照明电子镇流器中。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性等特点。BUK148-50DL特别设计用于在恶劣工作环境下保持可靠运行，适用于需要高耐压能力的工业控制、照明系统以及消费类电子产品中的功率开关应用。其额定电压为700V，能够承受瞬态过压冲击，适合在电网波动较大的地区使用。此外，该MOSFET具有良好的dv/dt抗扰度，可有效防止误触发和寄生导通现象，提高系统整体可靠性。
　　该器件封装形式为TO-220AB或类似通孔封装，便于安装于散热片上以实现高效散热，满足高功率密度设计需求。BUK148-50DL内部结构优化，减小了栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提升了转换效率。它常被用作主开关管，在反激式（Flyback）、正激式（Forward）等拓扑结构的SMPS（开关模式电源）中发挥关键作用。由于其出色的电气性能和坚固的封装设计，BUK148-50DL已成为许多制造商在中高端电源产品中首选的功率MOSFET之一。

参数

型号：BUK148-50DL
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：700 V
　　最大漏极电流（Id）：4.5 A
　　最大功耗（Ptot）：50 W
　　导通电阻Rds(on)：典型值1.8 Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　栅极电荷（Qg）：约50 nC
　　输入电容（Ciss）：约1100 pF
　　开启时间（Ton）：约50 ns
　　关断时间（Toff）：约100 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

BUK148-50DL采用NXP先进的TrenchMOS工艺制造，这种深沟槽技术使得器件在保持高击穿电压的同时显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体能效。该MOSFET的最大漏源电压高达700V，具备足够的电压裕量，能够应对线路浪涌、雷击感应或负载突变引起的瞬态高压，确保系统在各种复杂电网条件下稳定运行。其低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss）特性有助于减少驱动电路的负担，提升开关频率并降低驱动损耗，尤其适用于高频开关电源设计。
　　该器件具有良好的热稳定性，能够在结温高达150°C的情况下持续工作，且其热阻较低，配合合适的散热措施可长期承载额定电流。TO-220封装提供了优良的机械强度和散热性能，适用于需要手动焊接或无需表面贴装设备的生产环境。BUK148-50DL还具备较强的抗雪崩能力和dv/dt耐受性，能够在感性负载切换过程中抑制电压尖峰引发的误导通问题，提升系统安全性。此外，其阈值电压范围适中，兼容标准逻辑电平驱动信号，可通过PWM控制器直接驱动，简化了外围电路设计。
　　在实际应用中，BUK148-50DL表现出优异的长期可靠性，经过严格的质量测试，符合AEC-Q101等汽车级可靠性标准要求，适用于对寿命和稳定性要求较高的工业与照明设备。其一致性好、批次稳定性强，有利于大规模量产中的良率控制。综合来看，BUK148-50DL是一款兼顾高性能与高可靠性的高压功率MOSFET，适用于多种中等功率开关电源场景。

应用

BUK148-50DL主要应用于各类中等功率的开关模式电源（SMPS），包括但不限于LED驱动电源、电子节能灯镇流器、家用电器电源适配器、电视机和显示器的内置电源模块等。在这些应用中，它通常作为主开关管工作于反激式或正激式拓扑结构中，负责将输入的交流电压通过高频斩波转换为稳定的直流输出。由于其700V的高耐压能力，特别适合用于宽电压输入范围（如90–264V AC）的通用输入电源设计，可在全球不同电网环境下安全运行。
　　此外，该器件也广泛用于工业控制领域的继电器替代、电机驱动开关以及DC-DC变换器中，承担功率切换任务。在照明系统中，BUK148-50DL可用于高频电子镇流器，实现荧光灯或HID灯的高效启动与调光控制，具有响应速度快、发热少的优点。其高效率和紧凑封装使其成为空间受限但功率密度要求较高的嵌入式系统的理想选择。同时，因其具备良好的EMI性能和抗干扰能力，也可用于医疗设备、通信设备等对电磁兼容性要求较高的场合。总之，BUK148-50DL凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，在多个行业中发挥着重要作用。