时间：2025/12/27 21:53:17
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BUK106-50LP是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的功率MOSFET器件，属于OptiMOS?产品系列。该器件专为高效率、高频开关应用设计，广泛应用于电源转换系统中，例如DC-DC转换器、服务器电源、电信设备电源以及工业电源等场景。BUK106-50LP采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在低电压应用中实现优异的性能表现。其额定电压为50V，适用于同步整流、负载开关、电机驱动等多种拓扑结构。
该器件封装于PG-HSOF-8-47封装（也称为SuperSO8或PowerSO-8），具有良好的热性能和较小的占位面积，适合高密度PCB布局。由于其出色的RDS(on)特性与快速开关能力，BUK106-50LP在提高系统效率方面表现出色，尤其在需要低导通损耗和高电流处理能力的应用中备受青睐。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，能够在严苛的工作环境中稳定运行。
型号：BUK106-50LP
制造商：Infineon Technologies
产品系列：OptiMOS?
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDSS)：50V
连续漏极电流(ID)：120A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流(IDM)：320A
导通电阻(RDS(on))：2.6mΩ @ VGS=10V, ID=60A
阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
栅极电荷(Qg)：70nC @ VGS=10V
输入电容(Ciss)：3300pF @ VDS=25V
功耗(Ptot)：100W
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
封装/外壳：PG-HSOF-8-47 (PowerSO-8)
BUK106-50LP采用了Infineon先进的OptiMOS?沟槽栅技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，同时优化了开关特性，使其在高频开关电源应用中具备卓越的能量转换效率。该器件的典型RDS(on)仅为2.6mΩ，在同级别50V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于减少功率损耗并降低温升，提升系统整体可靠性。其低栅极电荷（Qg = 70nC）和低输出电荷（Qoss）进一步增强了开关速度，减少了驱动损耗，使得在高频率操作下仍能保持高效运行。
该器件的封装采用PowerSO-8（PG-HSOF-8-47）形式，具有优异的热传导性能，能够通过PCB有效散热，满足大电流应用场景下的热管理需求。引脚布局经过优化，减小了寄生电感，提升了抗噪声能力和瞬态响应性能。此外，该封装支持自动化贴片生产，适用于现代SMT工艺流程，提高了制造效率和一致性。
BUK106-50LP具备高雪崩能量耐受能力，增强了在异常工况（如短路或过载）下的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）确保了在极端环境温度下的稳定运行，适用于工业级和通信级设备。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适合用于同步整流拓扑中作为下管使用，可有效降低续流过程中的损耗。
该器件还具备良好的栅极氧化层可靠性，经过严格的质量控制和老化测试，符合AEC-Q101标准的部分要求，体现了Infineon在功率半导体领域的制造实力。总体而言，BUK106-50LP是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适用于追求小型化、高效率和高功率密度的设计方案。
BUK106-50LP广泛应用于各类中等电压、大电流的电力电子系统中。典型应用包括服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）及POL（点对点电源）转换器，其中其低RDS(on)和高电流承载能力可显著提升转换效率并减少散热需求。在通信电源系统中，该器件常用于隔离型DC-DC变换器的次级侧同步整流电路，替代传统肖特基二极管以降低导通压降和功耗，从而提高整体能效。
此外，BUK106-50LP也适用于工业电源、UPS不间断电源、电动工具电池管理系统以及太阳能微逆变器等设备中的开关元件。在电机驱动应用中，它可以作为H桥或半桥拓扑中的开关管，提供快速响应和低损耗控制。由于其优良的热性能和紧凑封装，该器件非常适合空间受限但对功率密度要求较高的便携式设备或嵌入式系统。
在汽车电子领域，尽管该型号未明确标称为车规级，但其高可靠性和宽温特性使其可用于部分车载辅助电源系统，如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器等非主驱系统中。总之，任何需要高效、高频率、大电流开关能力的50V以下应用均可考虑采用BUK106-50LP作为核心功率开关器件。
BSC106N05LSG
BUK9Y6R5-50E
IRLHS6296PbF
FDBL015N50
