型号：BUK104-50LP
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：OptiMOS?
　　器件类型：N-Channel MOSFET
　　漏源电压（VDS）：50 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：104 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：360 A
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10 V：3.3 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：4.4 mΩ
　　阈值电压（Vth）：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 5000 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 25 ns
　　最大工作结温（Tj）：175 °C
　　封装类型：PG-HSOF-5 (PowerSO-8)
　　安装方式：Surface Mount
　　功率耗散（Ptot）：约 125 W（带散热）

BUK104-50LP的核心优势在于其卓越的导通和开关性能，这得益于英飞凌先进的OptiMOS?沟槽型MOSFET工艺。该工艺通过优化晶体管结构，显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现了极低的RDS(on)值，在VGS=10V时仅为3.3mΩ，而在更低的4.5V驱动电压下也能保持4.4mΩ的低阻状态。这种低导通电阻意味着在大电流应用中功耗更小，发热更低，有助于提升系统效率并减少对散热设计的要求。此外，该器件具有非常低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），使得在高频开关操作中能够大幅减少驱动损耗和开关损耗，特别适合用于高频DC-DC变换器和同步整流拓扑。
　　另一个关键特性是其出色的热性能和可靠性。PG-HSOF-5封装采用了底部裸露焊盘设计，可有效将热量从芯片传导至PCB，增强散热能力，允许器件在高功率密度下长时间稳定运行。该器件的最大结温高达175°C，具备良好的热裕度，能够在严苛的工作环境中保持性能稳定。同时，它还具备较强的抗雪崩能量能力，能够在电压瞬变或电感负载突变时保护自身不被击穿，提升了整个系统的鲁棒性。
　　BUK104-50LP还具备良好的电磁兼容性（EMC）表现，由于其封装结构和内部引线设计优化，寄生电感较小，有助于抑制开关过程中的电压振铃和电磁干扰。这对于高频高速开关应用尤为重要，可以减少滤波元件的需求，简化电路设计。此外，该器件支持并联使用，多个MOSFET并联时由于其正温度系数的RDS(on)，能够实现自然的电流均衡，避免局部过热问题，进一步提升系统的可扩展性和可靠性。

BUK104-50LP广泛应用于各类高效能电源管理系统中，尤其适用于需要高电流、低损耗和小型化设计的场合。在通信电源和服务器电源中，常用于同步降压转换器的上下桥臂开关，配合控制器实现高效的DC-DC电压转换，满足现代处理器和FPGA对核心电压的精确供电需求。在笔记本电脑、平板电脑和便携式设备的电源管理模块中，该器件可用于电池充放电控制、电压调节及负载切换等功能，凭借其低导通电阻和小封装尺寸，有助于延长续航时间和缩小主板空间。
　　在工业控制领域，BUK104-50LP可用于电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑，控制直流电机或步进电机的转向与速度，其快速开关能力和高电流承载特性确保了电机响应迅速且运行平稳。此外，在LED照明驱动电源中，该器件可用于升压、降压或SEPIC拓扑结构，实现恒流输出，保证LED亮度稳定，同时提高光效和寿命。
　　新能源应用如太阳能逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）和DC-DC转换器中，BUK104-50LP也发挥着重要作用。在这些系统中，它参与实现能量的高效双向流动，支持软开关技术以降低电磁干扰和热损耗。此外，该器件还可用于UPS不间断电源、工业电源模块、PoE（Power over Ethernet）供电端设备等场景，提供可靠的功率开关功能。其高可靠性和宽温度范围适应能力使其在恶劣环境下的长期运行中依然表现优异。

BSC104N05LS5
　　BSC109N05LS G
　　IRLHS6296
　　PMV104XNEA