型号：IRLR014N
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：210A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：630A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.4mΩ（@ VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：4080pF（@ VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：980pF（@ VDS=15V）
　　反向恢复时间（trr）：27ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DirectFET SMD

IRLR014N采用先进的沟槽型MOSFET结构，这种结构通过在硅片表面刻蚀深沟槽并填充栅极材料，大幅增加了单位面积内的沟道数量，从而显著降低了导通电阻RDS(on)。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为1.4mΩ，这一低阻值意味着在大电流条件下功耗极小，有助于提高电源系统的整体效率。尤其是在DC-DC降压转换器或同步整流电路中，这种低导通损耗直接转化为更少的发热和更高的能效表现。此外，低RDS(on)还允许设计者使用更小的散热器甚至无需额外散热装置，进一步节省空间和成本。
　　该器件的开关特性同样出色，其输入电容Ciss为4080pF，在高频开关应用中能够快速充放电，减少开关延迟。配合较低的栅极电荷Qg（典型值约85nC @ VGS=10V），使得驱动电路所需功耗更低，适用于高频率操作环境如多相VRM（电压调节模块）或POL（点负载）电源。同时，输出电容Coss为980pF，有助于减小关断时的能量损耗，提升转换效率。反向恢复时间trr为27ns，虽然作为MOSFET不主要用于整流，但在体二极管参与换流的场景下，较短的trr可减少反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰。
　　热性能方面，IRLR014N采用DirectFET封装，顶部和底部均可进行热传导，极大提升了散热效率。该封装设计允许通过PCB上的铜箔或散热垫将热量迅速导出，实现优异的热管理。即使在高电流持续工作条件下，也能保持较低的结温升幅，延长器件寿命并增强系统可靠性。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛工业和汽车级应用环境。
　　安全与可靠性方面，IRLR014N具备较强的雪崩耐受能力，能够在电压瞬变或感性负载突变时吸收一定的能量而不损坏。其栅氧化层经过严格工艺控制，保证了对±20V栅源电压的耐受性，防止因过压导致的击穿风险。整体设计符合AEC-Q101车规认证要求，适用于车载电子系统。此外，器件无铅且符合RoHS指令，满足现代电子产品对环保的要求。

IRLR014N因其卓越的电气性能和高功率密度，被广泛应用于多种高效率电源系统中。在服务器和高端桌面计算机的VRM（电压调节模块）中，该器件常用于多相同步降压转换器的上下桥臂，承担大电流输出任务，为CPU或GPU提供稳定的低压大电流供电。其低RDS(on)和快速开关能力有效降低了导通与开关损耗，提高了电源效率，尤其在轻载和重载之间频繁切换的动态负载条件下表现出色。
　　在通信电源和数据中心电源系统中，IRLR014N用于隔离式DC-DC变换器的次级侧同步整流电路，替代传统肖特基二极管以减少压降和发热，从而提升转换效率并降低系统温升。这对于高密度电源模块尤为重要，有助于实现更高的功率密度和更长的设备寿命。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机电调以及工业电机驱动等需要高效开关和大电流承载能力的场合。在负载开关应用中，IRLR014N可用于控制电源路径的通断，利用其低导通电阻最小化电压降，保障后级电路的稳定供电。
　　在汽车电子领域，尽管需确认具体批次是否通过AEC-Q101认证，但其宽温度范围和高可靠性使其适用于车载DC-DC转换器、LED驱动电源和辅助电源单元。其SMD封装便于自动化贴装，适合大规模生产。总体而言，IRLR014N适用于任何追求高效率、高功率密度和良好热管理的现代电力电子系统。

IRL3803,IRLHS6296,SiR626DP,FDMS8880,IRLR7843