BUK102-50DS 是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道功率MOSFET,属于其OptiMOS?系列的一部分。该器件专为高效能、高频率开关应用设计,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及其他需要高效功率转换的场合。BUK102-50DS采用了先进的沟槽技术,提供了较低的导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该器件采用PG-DSO-8封装,具有良好的热管理和空间利用率,适合紧凑型设计。
类型:N沟道
最大漏源电压(VDS):50V
最大漏极电流(ID):100A(在VGS=10V时)
导通电阻(RDS(on)):最大5.3mΩ(在VGS=10V时)
栅极电荷(Qg):典型值27nC
最大工作温度:150°C
封装类型:PG-DSO-8
BUK102-50DS 具有多个显著的性能特点。首先,它的导通电阻非常低,这有助于减少在高电流条件下的功率损耗,提高整体系统的能效。此外,该MOSFET的栅极电荷较低,使得其在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗,提升了动态性能。由于采用了OptiMOS?技术,该器件在高温下依然保持稳定的性能,确保在严苛的工作环境下可靠运行。PG-DSO-8封装不仅提供了优良的散热能力,还支持表面贴装工艺,便于自动化生产和紧凑的PCB布局。
BUK102-50DS 还具备良好的短路耐受能力和过热保护功能,增强了系统的安全性和稳定性。其高雪崩能量能力确保在极端条件下不会轻易损坏,适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(通常为4.5V至20V),允许使用多种类型的驱动器进行控制,增加了设计的灵活性。
BUK102-50DS 广泛应用于多个领域,包括但不限于:高效DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、不间断电源(UPS)、服务器电源、工业自动化设备以及电动汽车(EV)充电系统。在这些应用中,该MOSFET能够提供高效的功率转换和良好的热管理性能,满足现代电子设备对小型化、高效率和高可靠性的需求。此外,它也适用于需要高电流密度和低损耗的功率模块设计。
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SiR100DP
BSC100N10NS5 AG